LiAlO2 субстрат

LiAlO2 субстраты литий алюминий оксидыннан (LiAlO2) ясалган субстратны аңлата.LiAlO2 - R3m космик төркеменә кергән кристалл кушылма һәм өчпочмаклы кристалл структурасына ия.

LiAlO2 субстратлары төрле кушымталарда кулланылган, шул исәптән нечкә кино үсеше, эпитаксиаль катламнар, электрон, оптоэлектрон һәм фотоник җайланмалар өчен гетероструктуралар.Аның искиткеч физик һәм химик үзенчәлекләре аркасында, ул киң үткәргеч ярымүткәргеч җайланмалар үсеше өчен аеруча яраклы.

LiAlO2 субстратларының төп кушымталарының берсе - Галлиум Нитрид (GaN) нигезендә, югары электрон хәрәкәт транзисторлары (HEMT) һәм яктылык чыгару диодлары (LED) кебек җайланмалар өлкәсендә.LiAlO2 белән GaN арасындагы такталарның туры килмәве чагыштырмача кечкенә, аны GaN нечкә фильмнарының эпитаксиаль үсеше өчен яраклы субстрат итә.LiAlO2 субстраты GaN чүпләү өчен югары сыйфатлы шаблон тәкъдим итә, нәтиҗәдә җайланманың эшләнеше һәм ышанычлылыгы яхшыра.

LiAlO2 субстратлары башка өлкәләрдә дә кулланыла, мәсәлән, хәтер җайланмалары өчен ферроэлектрик материаллар үсеше, пиезоэлектрик җайланмалар үсеше һәм каты дәүләт батарейкалары ясау.Аларның уникаль үзенчәлекләре, мәсәлән, югары җылылык үткәрүчәнлеге, яхшы механик тотрыклылык, түбән диэлектрик тотрыклылыгы, аларга бу кушымталарда өстенлек бирә.

Йомгаклап әйткәндә, LiAlO2 субстрат литий алюминий оксидыннан ясалган субстратны аңлата.LiAlO2 субстратлары төрле кушымталарда кулланыла, аеруча GaN нигезендәге җайланмалар үсеше, һәм башка электрон, оптоэлектрон һәм фотоник җайланмалар үсеше өчен.Алар кирәкле физик һәм химик үзенчәлекләргә ия, аларны нечкә пленкалар һәм гетероструктуралар өчен яраклаштыра һәм җайланманың эшләвен көчәйтә.