Субстрат
Тасвирлау
Ge single кристалл - инфракызыл һәм IC индустриясе өчен искиткеч ярымүткәргеч.
Сыйфатлар
| Methodсеш ысулы | Чохральски ысулы | ||
| Бәллүр структурасы | M3 | ||
| Даими күзәнәк берәмлеге | a = 5.65754 Å | ||
| Тыгызлыгы （г / см3） | 5.323 | ||
| Эретү ноктасы （℃） | 937.4 | ||
| Күчерелгән материал | Беркем дә юк | Sb-doped | / Га |
| Тип | / | N | P |
| Каршылык | ＞ 35Ωсм | 0.05Ωсм | 0.05 ~ 0.1Ωсм |
| EPD | ＜ 4 × 103 ∕ см2 | ＜ 4 × 103 ∕ см2 | ＜ 4 × 103 ∕ см2 |
| Размер | 10x3，10x5，10x10，15x15 ， x 20x15，20x20 ， | ||
| dia2 "x 0.33mm dia2" x 0.43mm 15 x 15 мм | |||
| Калынлык | 0,5 мм ， 1,0 мм | ||
| Оештыру | Ялгыз яки икеләтә | ||
| Бәллүр юнәлеш | <100> 、 <110> 、 <111> 、 ± 0.5º | ||
| Ra | ≤5Å µ 5µm × 5µm） | ||
Ge субстрат төшенчәсе
Ge субстраты германий (Ge) элементыннан ясалган субстратны аңлата.Германий - ярымүткәргеч материал, уникаль электрон үзенчәлекләргә ия, аны төрле электрон һәм оптоэлектрон кушымталар өчен яраклы итә.
Ge субстратлары гадәттә электрон җайланмалар җитештерүдә, аеруча ярымүткәргеч технологиясе өлкәсендә кулланыла.Алар нечкә фильмнарны һәм кремний (Si) кебек башка ярымүткәргечләрнең эпитаксиаль катламнарын урнаштыру өчен төп материал буларак кулланыла.Ge субстратлары гетероструктураларны һәм ярымүткәргеч катламнарны үстерү өчен кулланылырга мөмкин, югары тизлекле транзисторлар, фотодетекторлар, кояш күзәнәкләре кебек кушымталар өчен.
Германий шулай ук фотоникада һәм оптоэлектроникада кулланыла, монда аны инфракызыл (ИР) детекторлары һәм линзалары өчен субстрат итеп кулланырга мөмкин.Ge субстратлары инфракызыл кушымталар өчен кирәкле үзенчәлекләргә ия, мәсәлән, урта инфракызыл төбәктә киң тапшыру диапазоны һәм түбән температурада искиткеч механик үзлекләр.
Ge субстратлары кремний белән тыгыз туры килгән такталар структурасына ия, аларны Si нигезендәге электроника белән интеграцияләү өчен яраклаштыра.Бу ярашу гибрид структуралар ясарга һәм алдынгы электрон һәм фотоник җайланмалар үстерергә мөмкинлек бирә.
Йомгаклап әйткәндә, Ge субстраты германийдан ясалган субстратны, электрон һәм оптоэлектрон кушымталарда кулланылган ярымүткәргеч материалны аңлата.Ул бүтән ярымүткәргеч материаллар үсеше өчен мәйдан булып хезмәт итә, электроника, оптоэлектроника һәм фотоника өлкәсендә төрле җайланмалар ясарга мөмкинлек бирә.
