ГаАс субстрат
Тасвирлау
Галлиум Арсенид (GaAs) - мөһим һәм җитлеккән III-Ⅴ катнаш ярымүткәргеч, ул оптоэлектроника һәм микроэлектроника өлкәсендә киң кулланыла.GaAs нигездә ике категориягә бүленә: ярым изоляцион GaA һәм N тибындагы GaAs.Ярым изоляцион GaAs нигездә MESFET, HEMT һәм HBT структуралары белән интеграль схемалар ясау өчен кулланыла, алар радар, микродулкынлы һәм миллиметр дулкын элемтәләрендә, ультра югары тизлекле санакларда һәм оптик җепсел элемтәләрендә кулланыла.N тибындагы GaAлар, нигездә, LD, LED, инфракызыл лазерлар, квант кое югары көчле лазерлар һәм югары эффектив кояш күзәнәкләрендә кулланыла.
Сыйфатлар
| Бәллүр | Күчерелгән | Uctionткәрү төре | Агым концентрациясе см-3 | Тыгызлыгы см-2 | Methodсеш ысулы |
| Га | Беркем дә юк | Si | / | <5 × 105 | LEC |
| Si | N | > 5 × 1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~ 2 × 1018 | |||
| Zn | P | > 5 × 1017 |
GaAs субстрат төшенчәсе
GaAs субстраты галлий арсенидыннан (GaAs) кристалл материалдан ясалган субстратны аңлата.GaAs - галий (Ga) һәм арсеник (As) элементларыннан торган катнаш ярымүткәргеч.
GaAs субстратлары еш кына электроника һәм оптоэлектроника өлкәсендә кулланыла.GaAs субстратларының кайбер төп үзенчәлекләре:
1. Electгары электрон хәрәкәтчәнлеге: GaAs кремний (Si) кебек башка ярымүткәргеч материалларга караганда электрон хәрәкәтчәнлеккә ия.Бу характеристика GaAs субстратын югары ешлыктагы югары көчле электрон җиһаз өчен яраклы итә.
2. Туры тасма аермасы: ГаАларның туры тасма аермасы бар, димәк, электроннар һәм тишекләр рекомбинацияләнгәндә эффектив яктылык чыгару булырга мөмкин.Бу характеристика GaAs субстратларын оптоэлектрон кушымталар өчен идеаль итә, мәсәлән, яктылык җибәрүче диодлар (LED) һәм лазерлар.
3. Киң бандгап: GaAs кремнийга караганда киңрәк тасмага ия, ул югары температурада эшләргә мөмкинлек бирә.Бу мөлкәт GaAs нигезендәге җайланмаларга югары температуралы шартларда нәтиҗәлерәк эшләргә мөмкинлек бирә.
4. Түбән тавыш: GaAs субстратлары түбән тавыш дәрәҗәсен күрсәтәләр, аларны түбән тавыш көчәйткечләре һәм башка сизгер электрон кушымталар өчен яраклы итәләр.
GaAs субстратлары электрон һәм оптоэлектрон җайланмаларда киң кулланыла, шул исәптән югары тизлекле транзисторлар, микродулкынлы интеграль схемалар (IC), фотоволтаик күзәнәкләр, фотон детекторлары һәм кояш күзәнәкләре.
Бу субстратлар металл органик химик пар парламенты (MOCVD), молекуляр нур эпитаксы (MBE) яки сыек фаза эпитаксы (LPE) кебек төрле техника ярдәмендә әзерләнергә мөмкин.Кулланылган конкрет үсеш ысулы кирәкле куллануга һәм GaAs субстратының сыйфат таләпләренә бәйле.
