SiC субстрат
Тасвирлау
Кремний карбид (SiC) - IV-IV төркемнең икеләтә кушылмасы, ул Периодик таблицаның IV төркемендәге бердәнбер тотрыклы каты кушылма, Бу мөһим ярымүткәргеч.SiC искиткеч җылылык, механик, химик һәм электр үзенчәлекләренә ия, алар аны югары температура, югары ешлыклы һәм югары көчле электрон җайланмалар ясау өчен иң яхшы материалларның берсе итәләр, SiC шулай ук субстрат материал буларак кулланылырга мөмкин. GaN нигезендә зәңгәр яктылык җибәрүче диодлар өчен.Хәзерге вакытта 4H-SiC - базардагы төп продукт, һәм үткәрүчәнлек төре ярым изоляцион төргә һәм N төренә бүленә.
Сыйфатлар
| Предмет | 2 дюйм 4H N-тип | ||
| Диаметр | 2инч (50,8 мм) | ||
| Калынлык | 350 +/- 25ум | ||
| Ориентация | 4.0˚ күчәреннән <1120> ± 0,5˚ | ||
| Беренчел фатир юнәлеше | <1-100> ± 5 ° | ||
| Икенче фатир Ориентация | Башлангыч фатирдан 90.0˚ CW ± 5.0˚, Si Face up | ||
| Беренчел фатир озынлыгы | 16 ± 2.0 | ||
| Икенчел фатир озынлыгы | 8 ± 2.0 | ||
| Сыйфат | Productionитештерү дәрәҗәсе (Р) | Тикшеренү дәрәҗәсе (Р) | Dummy grade (D) |
| Каршылык | 0.015 ~ 0.028 Ω · см | <0,1 Ω · см | <0,1 Ω · см |
| Микропип тыгызлыгы | ≤ 1 микропип / см² | ≤ 1 0 микропип / см² | ≤ 30 микропип / см² |
| Faceир өсте тупаслыгы | Si йөз CMP Ra <0.5nm, C Face Ra <1 nm | N / A, куллану мәйданы> 75% | |
| TTV | <8 ум | <10ум | <15 ум |
| Bowәя | <± 8 ум | <± 10ум | <± 15ум |
| Сугыш | <15 ум | <20 ум | <25 ум |
| Ярыклар | Беркем дә юк | Кумулятив озынлыгы ≤ 3 мм | Кумулятив озынлык ≤10 мм, |
| Сызулар | ≤ 3 сызу, кумулятив | ≤ 5 сызу, кумулятив | ≤ 10 сызу, кумулятив |
| Алты тәлинкәләр | максимум 6 тәлинкә, | максимум 12 тәлинкә, | N / A, куллану мәйданы> 75% |
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤ 5% | Кумулятив мәйдан ≤ 10% |
| Пычрату | Беркем дә юк | ||
